氟化氩光刻机、5-3纳米刻蚀机、DDR5芯片相继突破：谁能阻止中国芯的绝地反击！

2024/12/31 17:01:10 挖贝网周路遥

突破！突破！突破！

2024年是我国半导体行业面对某西方大国的极限施压绝地反击的一年。虽然风愈大、雨愈急，西方大国的制裁手段越来越严厉，但我们不仅稳住了阵脚，更用一个又一个的技术突破、市场突破，向世界证明我们的半导体产业是打不倒、压不垮的。

面对技术封锁，国产DDR5芯片问世、工信部开始推广国产氟化氩光刻机、中微公司着手研制用于 5-3 纳米逻辑芯片制造的ICP 刻蚀机，将首先被应用在国内正在大力发展的逻辑芯片制造厂家；

面对贸易争端，中国集成电路出口金额再次突破1万亿元、中芯国际成长为世界第三大半导体代工厂商；

面对金融限制，我国半导体产业再掀上市潮流，地平线、联芸科技、摩尔线程等细分领域领域纷纷登陆或正在登录资本市场。

岁月无声，风过留痕，现在让我们来见证在我国半导体发展史上留下浓墨重彩的2024年！

芯片篇

国产DDR5芯片上市据传为长鑫出品

近期，金百达和光威悄然上架了一款DDR5内存产品，和其他内存产品不同，该内存的产品介绍上赫然写着“国产首款DDR5内存颗粒”。这标志继DDR3、DDR4内存后，DDR5内存也正式完成了国产化，补齐了国产DDR内存最后一块短板。

据相关报道，金百达和光威使用的是长鑫的DDR5内存颗粒。目前长鑫DDR5内存颗粒的良品率已经稳定在80%左右，随着继续改进，预计到明年底可以提升到90%左右。

国产高端CMOS芯片大规模出货

过去高端智能手机摄像头使用的CMOS芯片一直被索尼所垄断。不过今年，以韦尔股份、格科微、思特威为代表的国内厂商的高端CMOS芯片在市场方面取得了突破，进入大规模应用阶段。

在公司公告中，韦尔股份表示：“公司5000万像素的系列产品已经被广泛的应用于国内主流高端智能手机后置主摄传感器方案中，正逐步替代海外竞争对手的同类产品，实现了公司在高端智能手机领域市场份额的重大突破。”

据传华为推出昇腾910C 性能接近英伟达A100

据相关报道，华为已经推出了昇腾910C芯片，预计在今年第四季度推出样机，2025年第一季度将实现量产。性能方面，16卡设计的昇腾910C算力提升是910B 8卡设计的2.5倍，可以平替NVIDIA H100。

设备篇

中微公司着手研制用于 5-3 纳米逻辑芯片制造的ICP 刻蚀机

中微公司财报显示，公司正在研制用于 5-3 纳米逻辑芯片制造的ICP 刻蚀机，目前Beta 机台继续在客户端开展更多制程的验证。

根据公告，该项目的研发目标是：研制成功 5 纳米的刻蚀设备并完成在先进逻辑芯片生产厂家的评估，并实现销售。完成 3 纳米刻蚀机 Alpha 原型机的设计、制造、测试及初步的工艺开发和评估。

具体应用前景是：项目开发的设备产品将首先被应用在国内正在大力发展的逻辑芯片制造厂家，主要包括中芯国际、华力微电子等重要客户。将对高端设备国产化产生重大的效益和影响。同时，也会尽可能地开发国际市场如台积电等。

工信部推广国产氟化氩光刻机

今年9月，工信部发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》。其中，在电子专用设备一栏，氟化氪光刻机、氟化氩光刻机位列其中。

根据目录，氟化氪光刻机晶圆直径为300mm（12英寸）；照明波长为248mm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm；氟化氩光刻机，其照明波长为193mm，分辨率≤65nm；套刻≤8nm。

氟化氩光刻机性能与ASML旗下TWINSCAN XT：1460K最为接近。该型号照明波长为193mm，分辨率≤65nm。此外，该系统可以在偏振照明下实现低至57nm的生产分辨率。

其他

中国芯片出口额再破万亿

海关总署发布了2024年前11个月中国货物贸易进出口数据显示，2024年前11个月中国集成电路出口金额达1.03万亿元，同比增长20.3%。这是继2022年后，中国集成电路出口金额再次突破万亿元。

中芯国际首次升至全球第三大晶圆代工厂

根据研究机构 Counterpoint 的 5 月 22 日报告，中芯国际在 2024 年第一季度跃升至全球第三大晶圆代工厂，仅次于台积电、三星，市场份额 6%。

据了解，中芯国际 2024 年 Q1 营收 17.5 亿美元（当前约 126.88 亿元人民币），同比增长 19.7%，环比增长 4.3%。这是中芯国际季度营收首次超越联电与格芯两家芯片大厂。

中国半导体企业再掀上市潮

2024年是我国半导体行业上市“大年”。车规级芯片龙头地平线、主控芯片龙头联芸科技、氮化镓龙头英诺赛科等相继上市。此外，国产GPU行业龙头摩尔线程、燧原科技、壁仞科技等相继启动了IPO上市进程，国产12英寸硅片龙头奕斯伟上市申请已被科创板受理。

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